磁电耦合器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711271098.4

申请日：

2017-12-05

公开(公告)号：

CN109873075B

公开(公告)日：

2019-06-11

发明(设计)人：

于浦李好博鲁年鹏马静南策文

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4310

代理机构：

北京华进京联知识产权代理有限公司 11606

代理人：

刘诚

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-11	公开	公开
2021-01-01	授权	授权
2019-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20171205

共 50 条

[1]

磁电耦合器件 [P].

鲁圣国 ;

徐政魁 ;

国世上 .

中国专利 :CN101047225A ,2007-10-03

[2]

与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件 [P].

钱正洪 .

中国专利 :CN101728377A ,2010-06-09

[3]

利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法 [P].

任豪 ;

牛云平 .

中国专利 :CN113380943A ,2021-09-10

[4]

利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法 [P].

任豪 ;

牛云平 .

中国专利 :CN113380943B ,2024-08-23

[5]

基于韦德曼效应的扭振磁电耦合器件及其制作方法 [P].

师阳 ;

史宝全 ;

马玉钦 ;

吴寅豪 .

中国专利 :CN108963068B ,2018-12-07

[6]

一种磁电耦合器件及神经网络加解密方法 [P].

邢国忠 ;

林淮 ;

张一帆 ;

李愚 ;

罗庆 ;

李泠 .

中国专利 :CN119053233A ,2024-11-29

[7]

基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件 [P].

刘晓燕 ;

邸永江 ;

李江宇 ;

谢淑红 .

中国专利 :CN205657088U ,2016-10-19

[8]

一种基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件 [P].

刘晓燕 ;

邸永江 ;

李江宇 ;

谢淑红 .

中国专利 :CN105789432B ,2016-07-20

[9]

一种铁电氧化物材料在磁电耦合器件中的应用 [P].

初宝进 ;

潘祺 .

中国专利 :CN108878641A ,2018-11-23

[10]

一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件 [P].

何金良 ;

胡军 ;

韩金池 ;

王善祥 ;

余占清 ;

曾嵘 .

中国专利 :CN104347794B ,2015-02-11

← 1 2 3 4 5 →