利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110647524.X

申请日：

2021-06-10

公开(公告)号：

CN113380943A

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

任豪牛云平

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区华夏中路393号

IPC主分类号：

H01L4112

IPC分类号：

H01L4118 H01L4120 H01L4106 H01L4147

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司 31001

代理人：

徐俊;徐颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/12 申请日:20210610
2021-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法 [P].

任豪 ;

牛云平 .

中国专利 :CN113380943B ,2024-08-23

[2]

磁电耦合器件 [P].

鲁圣国 ;

徐政魁 ;

国世上 .

中国专利 :CN101047225A ,2007-10-03

[3]

磁电耦合器件 [P].

于浦 ;

李好博 ;

鲁年鹏 ;

马静 ;

南策文 .

中国专利 :CN109873075B ,2019-06-11

[4]

与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件 [P].

钱正洪 .

中国专利 :CN101728377A ,2010-06-09

[5]

磁化翻转的磁电耦合器件、存储单元、存储阵列及存储器 [P].

尉国栋 ;

熊亦昂 ;

林晓阳 ;

柳洋 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN113206190A ,2021-08-03

[6]

基于韦德曼效应的扭振磁电耦合器件及其制作方法 [P].

师阳 ;

史宝全 ;

马玉钦 ;

吴寅豪 .

中国专利 :CN108963068B ,2018-12-07

[7]

一种铁电氧化物材料在磁电耦合器件中的应用 [P].

初宝进 ;

潘祺 .

中国专利 :CN108878641A ,2018-11-23

[8]

一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件 [P].

何金良 ;

胡军 ;

韩金池 ;

王善祥 ;

余占清 ;

曾嵘 .

中国专利 :CN104347794B ,2015-02-11

[9]

用于永磁电机的永磁体 [P].

Z.阿扎 ;

H-J.索加尔德 ;

A.C.乌尔达 ;

C.V.尼克尔森 ;

H.孙 .

中国专利 :CN109831045A ,2019-05-31

[10]

用于永磁电机的永磁体 [P].

Z.阿扎尔 ;

H-J.索加尔德 ;

A.C.乌尔达 .

中国专利 :CN109873507A ,2019-06-11

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