使用氯制造集成电路内的沟渠介电层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610074542.9

申请日：

2006-04-27

公开(公告)号：

CN100433291C

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

钟·董泰鹏·李

申请人：

申请人地址：

新加坡ODC中心同华路30号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21316 H01L21822 H01L2704

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

薛平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101667310126 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2006100745429 申请日:20060427 授权公告日:20081112 终止日期:20150427
2008-11-12	授权	授权
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101518393729 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2006100745429 变更事项:专利权人变更前权利人:茂德科技股份有限公司(新加坡子公司) 变更后权利人:茂德科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡ODC中心同华路30号变更后权利人:中国台湾新竹市登记生效日:20130118
2007-01-10	公开	公开
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

集成电路中介电层的制造方法 [P].

陈光钊 ;

涂玉堂 .

中国专利 :CN1049764C ,1997-08-20

[2]

具有介电层的集成电路 [P].

蒂姆·伯斯克 ;

约翰内斯·海特曼 ;

乌韦·施勒德尔 .

中国专利 :CN101645446A ,2010-02-10

[3]

介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路 [P].

黎丽萍 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1716546A ,2006-01-04

[4]

一种含有停止层的集成电路介电层结构 [P].

任丙振 ;

张进刚 .

中国专利 :CN102543942A ,2012-07-04

[5]

具有介电层的集成电路器件和制造其的方法和装置 [P].

朴瑛琳 ;

文瑄敏 ;

郑昌和 ;

朴影根 ;

徐钟汎 ;

曹圭镐 .

韩国专利 :CN110504241B ,2024-03-01

[6]

具有介电层的集成电路器件和制造其的方法和装置 [P].

朴瑛琳 ;

文瑄敏 ;

郑昌和 ;

朴影根 ;

徐钟汎 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504241A ,2019-11-26

[7]

集成电路钝化层及其制造方法 [P].

周军 ;

傅昶 .

中国专利 :CN102420194B ,2012-04-18

[8]

集成电路及其制造方法以及集成电路的导电层 [P].

金夏永 ;

金昌汎 ;

卢贤定 ;

宋泰中 ;

李达熙 ;

赵成伟 .

中国专利 :CN108695314A ,2018-10-23

[9]

介电层的制造方法 [P].

赖东明 ;

高明宽 ;

杜建男 ;

林东生 ;

赖忠庆 .

中国专利 :CN1459832A ,2003-12-03

[10]

高压集成电路制造工艺 [P].

王伟国 ;

黄海涛 ;

王燕 ;

陆晓敏 ;

陈康民 ;

王浩 ;

吕浩 ;

冯慧钦 ;

杨炬 ;

樊芸 ;

樊荣海 ;

肖世红 ;

杨晶琦 .

中国专利 :CN100337323C ,2004-07-21

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