集成电路中介电层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96101197.1

申请日：

1996-02-14

公开(公告)号：

CN1049764C

公开(公告)日：

1997-08-20

发明(设计)人：

陈光钊涂玉堂

申请人：

申请人地址：

中国台湾

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2170 H01L2131

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

徐娴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-08-20	公开	公开
1996-09-25	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2011-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101065089420 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL961011971 申请日:19960214 授权公告日:20000223 终止日期:20100214
2004-12-22	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:台湾茂矽电子股份有限公司变更后权利人:茂德科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾变更后权利人:中国台湾登记生效日:20041112
2000-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路的制造方法 [P].

张良冬 ;

廖志成 .

中国专利 :CN1234608A ,1999-11-10

[2]

集成电路护层及其制造方法 [P].

赵灿辉 ;

洪天爵 ;

吴雅雯 ;

李世平 ;

曾守亿 .

中国专利 :CN1260809C ,2004-09-29

[3]

使用氯制造集成电路内的沟渠介电层 [P].

钟·董 ;

泰鹏·李 .

中国专利 :CN100433291C ,2007-01-10

[4]

具有接合中介层的集成电路器件 [P].

A·约翰曼 ;

W-B·莱翁 .

中国专利 :CN103887290A ,2014-06-25

[5]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

M·H·菲勒梅耶 ;

A·梅瑟 ;

T·施勒塞尔 ;

F·希尔勒 ;

M·珀尔齐尔 .

中国专利 :CN104518010B ,2015-04-15

[6]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

B.武特 .

中国专利 :CN104600067A ,2015-05-06

[7]

集成电路以及制造集成电路的方法 [P].

A·梅瑟 ;

M·聪德尔 ;

T·施勒塞尔 .

中国专利 :CN104347625B ,2015-02-11

[8]

一种多中介层互联的集成电路 [P].

陶军磊 ;

赵南 ;

张晓东 ;

王晨 .

中国专利 :CN112889149A ,2021-06-01

[9]

集成电路钝化层及其制造方法 [P].

周军 ;

傅昶 .

中国专利 :CN102420194B ,2012-04-18

[10]

中介层以及中介层的制造方法 [P].

坂本一 ;

古谷俊树 ;

濑川博史 .

中国专利 :CN101632168B ,2010-01-20

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