中介层以及中介层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880007821.0

申请日：

2008-10-09

公开(公告)号：

CN101632168B

公开(公告)日：

2010-01-20

发明(设计)人：

坂本一古谷俊树濑川博史

申请人：

申请人地址：

日本岐阜县

IPC主分类号：

H01L2332

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;陈立航

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-18	授权	授权
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-20	公开	公开

共 50 条

[1]

中介层、制造中介层的方法及制造半导体封装的方法 [P].

丁少锋 ;

李敬雨 ;

金仁焕 ;

李种賱 .

中国专利 :CN109755217A ,2019-05-14

[2]

中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法 [P].

C·H·育 ;

O·R·费伊 .

中国专利 :CN113574662A ,2021-10-29

[3]

中介层及包括中介层的半导体封装 [P].

朴有庆 ;

柳承官 ;

尹玟升 ;

崔允硕 .

韩国专利 :CN111755410B ,2025-08-19

[4]

中介层和包括中介层的半导体封装 [P].

任忠彬 ;

金东旭 ;

金贤基 ;

沈钟辅 ;

金知晃 ;

朴性奎 ;

李镕官 ;

张炳旭 .

中国专利 :CN114639666A ,2022-06-17

[5]

中介层及包括中介层的半导体封装 [P].

朴有庆 ;

柳承官 ;

尹玟升 ;

崔允硕 .

中国专利 :CN111755410A ,2020-10-09

[6]

中介层，以及包含中介层的半导体封装体及其制作方法 [P].

施信益 ;

管式凡 ;

吴铁将 .

中国专利 :CN108269784B ,2018-07-10

[7]

用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法 [P].

徐幸暄 .

中国专利 :CN120878669A ,2025-10-31

[8]

用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法 [P].

徐幸暄 .

中国专利 :CN120727682A ,2025-09-30

[9]

中介层及包括中介层的半导体封装体 [P].

施信益 .

中国专利 :CN108022903A ,2018-05-11

[10]

集成电路中介电层的制造方法 [P].

陈光钊 ;

涂玉堂 .

中国专利 :CN1049764C ,1997-08-20

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