具有接合中介层的集成电路器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310757185.6

申请日：

2013-12-20

公开(公告)号：

CN103887290A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

A·约翰曼 W-B·莱翁

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L2518 H01L2348 H01L23498 H01L2198

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

赵蓉民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583889230 IPC(主分类):H01L 25/065 专利申请号:2013107571856 申请日:20131220
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 25/065 申请公布日:20140625

共 50 条

[1]

用于测试集成电路器件的具有对角过孔的通用中介层 [P].

詹姆斯·雷·黑斯廷斯 ;

萧卓洲 ;

查尔斯·威廉·马丁 ;

托马斯·J·史密斯 ;

奎德·乔赫·弗妮图雷瓦拉 ;

布拉德·恩贝格 ;

阿尔伯特·查尔斯·赛尔 .

美国专利 :CN120824569A ,2025-10-21

[2]

具有光学耦合层的集成电路器件 [P].

S·M·斯皮莱恩 ;

R·G·博索莱尔 .

中国专利 :CN101203783A ,2008-06-18

[3]

具有阻挡层的集成电路器件 [P].

李常铉 ;

金俊植 ;

蔡教锡 .

中国专利 :CN109285833A ,2019-01-29

[4]

集成电路器件及具有互连结构的集成电路器件 [P].

陈芳 ;

廖忠志 ;

梁铭彰 .

中国专利 :CN110323203B ,2019-10-11

[5]

集成电路中介电层的制造方法 [P].

陈光钊 ;

涂玉堂 .

中国专利 :CN1049764C ,1997-08-20

[6]

具有倾斜外围电路的集成电路器件 [P].

斯蒂芬·韦恩·莫里斯 ;

理查德·保罗·利迪克 .

中国专利 :CN1007477B ,1987-05-27

[7]

集成电路器件和制造集成电路器件的方法 [P].

古淑瑗 ;

孙志铭 ;

郑振辉 .

中国专利 :CN109817580B ,2019-05-28

[8]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

李源 ;

索姆·纳瑟 ;

马尔腾·范多特 .

中国专利 :CN102738104B ,2012-10-17

[9]

集成电路器件及制造集成电路器件的方法 [P].

裵德汉 ;

金盛民 ;

朴柱勋 ;

李留利 ;

郑润永 ;

洪秀妍 .

中国专利 :CN113782515A ,2021-12-10

[10]

集成电路器件及制备集成电路器件的方法 [P].

萨姆·齐昆·赵 ;

阿玛德雷兹·罗弗戈兰 ;

阿里亚·贝扎特 ;

吉泽斯·卡斯塔涅达 ;

迈克尔·伯尔斯 .

中国专利 :CN102299140A ,2011-12-28

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