一种半导体P、N类型非接触测试装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320837729.5

申请日：

2013-12-19

公开(公告)号：

CN203688741U

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

赵丹颜友钧郑钰

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区科智路2号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

苏州华博知识产权代理有限公司 32232

代理人：

何蔚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20131219 授权公告日:20140702 终止日期:20181219
2014-07-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体P、N类型非接触测试装置 [P].

赵丹 ;

颜友钧 ;

郑钰 .

中国专利 :CN103675549A ,2014-03-26

[2]

一种新型半导体P、N类型非接触测试装置 [P].

赵丹 ;

颜友钧 ;

郑钰 .

中国专利 :CN103698681A ,2014-04-02

[3]

一种半导体P、N类型非接触测试传感器 [P].

赵丹 ;

颜友钧 ;

郑钰 .

中国专利 :CN203688742U ,2014-07-02

[4]

一种半导体P、N类型非接触测试传感器 [P].

赵丹 ;

颜友钧 ;

郑钰 .

中国专利 :CN103675640A ,2014-03-26

[5]

一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置 [P].

王昕 ;

田蕾 ;

李俊生 .

中国专利 :CN206773072U ,2017-12-19

[6]

一种非接触式静电电压测试装置 [P].

林义勇 ;

董炳熙 ;

赵宇 ;

何攀 ;

张琦 ;

王晶 ;

司长哲 ;

陈祎贝 ;

尹航 .

中国专利 :CN220438442U ,2024-02-02

[7]

半导体PN类型非接触式光电测量装置 [P].

包正军 .

中国专利 :CN221124771U ,2024-06-11

[8]

混凝土早期变形非接触测试装置 [P].

杨长辉 ;

王海洋 ;

敬相海 ;

叶建雄 ;

陈科 ;

张京街 .

中国专利 :CN201149484Y ,2008-11-12

[9]

一种半导体绝缘测试装置 [P].

季承 ;

李欣宇 ;

孙经岳 .

中国专利 :CN215728595U ,2022-02-01

[10]

半导体测试装置 [P].

何欢欢 ;

王波 ;

朱凯 ;

祝晓钊 ;

冯敏强 ;

廖良生 .

中国专利 :CN212301756U ,2021-01-05

← 1 2 3 4 5 →