半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410820297.6

申请日：

2014-12-24

公开(公告)号：

CN104766882A

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

多木俊裕朱雷冈本直哉美浓浦优一尾崎史朗

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	公开	公开
2019-01-08	授权	授权
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619263045 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014108202976 申请日:20141224

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

冈本直哉 .

中国专利 :CN103972283B ,2014-08-06

[2]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

尾崎史朗 .

中国专利 :CN103311290A ,2013-09-18

[3]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

冈本康弘 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13

[4]

半导体器件 [P].

成演准 .

中国专利 :CN108780828A ,2018-11-09

[5]

半导体器件 [P].

金柱成 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN103531612A ,2014-01-22

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN103715241B ,2014-04-09

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019B ,2024-07-02

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