一种金属氧化物掺杂的光催化剂及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610902315.4

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN106492870A

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

崔玉民李慧泉苗慧陶栋梁

申请人：

申请人地址：

236037 安徽省阜阳市清河西路100号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

C02F132 C02F172 C02F10134 C02F10138

代理机构：

北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426

代理人：

刘冬梅;路永斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	公开	公开
2017-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101712566675 IPC(主分类):B01J 27/24 专利申请号:2016109023154 申请日:20161017
2020-01-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J 27/24 申请公布日:20170315

共 50 条

[1]

一种过渡金属氧化物复合的CNB光催化剂及其制备方法 [P].

崔玉民 ;

李慧泉 ;

苗慧 ;

陶栋梁 .

中国专利 :CN106540734A ,2017-03-29

[2]

金属氧化物催化剂的制备方法及金属氧化物催化剂 [P].

金钟植 ;

河宪弼 .

中国专利 :CN113856675A ,2021-12-31

[3]

一种厚度可控磁性金属氧化物光催化剂的制备方法 [P].

许春华 ;

赵媛 ;

郑芳杰 ;

杨亚鑫 .

中国专利 :CN107754800A ,2018-03-06

[4]

一种金属氧化物‑CNB复合光催化剂及其制备方法 [P].

崔玉民 ;

李慧泉 ;

苗慧 ;

于占军 .

中国专利 :CN106732710A ,2017-05-31

[5]

一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途 [P].

高水英 ;

曹荣 .

中国专利 :CN101869848A ,2010-10-27

[6]

氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法 [P].

李文章 ;

占发琦 ;

李洁 .

中国专利 :CN109663584B ,2019-04-23

[7]

光催化剂，该光催化剂的制备方法及光催化剂装置 [P].

李东一 ;

郑胜文 ;

徐周焕 ;

李周炯 .

中国专利 :CN104302398A ,2015-01-21

[8]

金属氧化物催化剂的制备方法 [P].

屠新林 ;

住田勇一 ;

高桥卫 ;

新妻裕志 .

中国专利 :CN100534614C ,2006-05-17

[9]

一种氮硫共掺杂金属氧化物基催化剂及其制备方法 [P].

张永起 ;

唐涛 ;

李晨 ;

夏新辉 .

中国专利 :CN115404514B ,2025-03-21

[10]

一种氮硫共掺杂金属氧化物基催化剂及其制备方法 [P].

张永起 ;

唐涛 ;

李晨 ;

夏新辉 .

中国专利 :CN115404514A ,2022-11-29

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