氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811558781.0

申请日：

2018-12-19

公开(公告)号：

CN109663584B

公开(公告)日：

2019-04-23

发明(设计)人：

李文章占发琦李洁

申请人：

申请人地址：

410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

IPC主分类号：

B01J2106

IPC分类号：

B01J2306 B01J2330 B01J23745 B01J3700 B01J3708 B01J3716

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

伍传松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 21/06 申请日:20181219
2019-04-23	公开	公开
2022-11-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01J 21/06 申请日:20181219 授权公告日:20210706 终止日期:20211219
2021-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

氧空位型金属氧化物半导体的制备方法 [P].

赵彩凤 ;

杨亚辉 ;

罗琳 ;

邵赛 ;

邵颖 ;

张乐平 .

中国专利 :CN110560022A ,2019-12-13

[2]

一种金属氧化物半导体异质结光催化剂的制备方法 [P].

鲍瑞 ;

黄书宇 ;

易健宏 .

中国专利 :CN115350705A ,2022-11-18

[3]

一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途 [P].

高水英 ;

曹荣 .

中国专利 :CN101869848A ,2010-10-27

[4]

一种纳米半导体氧化物光催化剂及其制备方法 [P].

何静 ;

舒心 .

中国专利 :CN101168127A ,2008-04-30

[5]

一种金属氧化物掺杂的光催化剂及其制备方法 [P].

崔玉民 ;

李慧泉 ;

苗慧 ;

陶栋梁 .

中国专利 :CN106492870A ,2017-03-15

[6]

光催化剂，该光催化剂的制备方法及光催化剂装置 [P].

李东一 ;

郑胜文 ;

徐周焕 ;

李周炯 .

中国专利 :CN104302398A ,2015-01-21

[7]

金属氧化物催化剂的制备方法及金属氧化物催化剂 [P].

金钟植 ;

河宪弼 .

中国专利 :CN113856675A ,2021-12-31

[8]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[9]

具有丰富氧空位的铁钨氧化物光催化剂及制备和固氮应用 [P].

郑辉 ;

陈雨彤 ;

屠雪薇 ;

陈良臣 ;

韩维航 .

中国专利 :CN114849726A ,2022-08-05

[10]

一种厚度可控磁性金属氧化物光催化剂的制备方法 [P].

许春华 ;

赵媛 ;

郑芳杰 ;

杨亚鑫 .

中国专利 :CN107754800A ,2018-03-06

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