基于复合漏极的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410030942.4

申请日：

2014-01-22

公开(公告)号：

CN103745992A

公开(公告)日：

2014-04-23

发明(设计)人：

冯倩杜锴杜鸣张春福梁日泉郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L29417 H01L29423

代理机构：

北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368

代理人：

郭官厚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20140122 授权公告日:20160525 终止日期:20210122
2014-04-23	公开	公开
2016-05-25	授权	授权
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582383262 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014100309424 申请日:20140122

共 50 条

[1]

耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103745990B ,2014-04-23

[2]

基于超结的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103745993B ,2014-04-23

[3]

基于超结漏场板的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103762234A ,2014-04-30

[4]

基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103762235B ,2014-04-30

[5]

基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103745991A ,2014-04-23

[6]

一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

董良 ;

代波 ;

杜锴 ;

郑雪峰 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN104037216B ,2014-09-10

[7]

复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法 [P].

柴常春 ;

陈鹏远 ;

杨琦 ;

杨银堂 ;

刘阳 ;

樊庆扬 ;

于新海 ;

史春蕾 ;

孙斌 .

中国专利 :CN105448964A ,2016-03-30

[8]

AlGaN/GaN MISHEMT器件的制备方法 [P].

冯倩 ;

郝跃 .

中国专利 :CN101350311A ,2009-01-21

[9]

基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103839996A ,2014-06-04

[10]

一种基于复合漏极的高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779417B ,2014-05-07

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