硅纳米柱状阵列材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610604267.0

申请日：

2016-07-28

公开(公告)号：

CN106277822A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

李志刚冯尚申王天乐南浩善

申请人：

申请人地址：

318000 浙江省台州市椒江区市府大道1139号

IPC主分类号：

C03C1722

IPC分类号：

B81C100 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

台州市南方商标专利事务所(普通合伙) 33225

代理人：

白家驹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/22 申请日:20160728 授权公告日:20190215 终止日期:20200728
2017-01-04	公开	公开
2019-02-15	授权	授权
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700788704 IPC(主分类):C03C 17/22 专利申请号:2016106042670 申请日:20160728

共 50 条

[1]

硅纳米线材料及其制备方法 [P].

宗睿 ;

毛双 ;

郑申棵 ;

吴渐 ;

徐文静 .

中国专利 :CN120423554A ,2025-08-05

[2]

超低功耗双金属纳米球壳pn结阵列材料及其制备方法 [P].

李志刚 ;

姜涛 ;

王海波 ;

李季腾 ;

周雍瑞 .

中国专利 :CN117926197A ,2024-04-26

[3]

低成本硅纳米线材料及其制备方法 [P].

毛双 ;

宗睿 ;

郑申棵 ;

吴渐 ;

徐文静 .

中国专利 :CN120423555A ,2025-08-05

[4]

硅中空纳米锥阵列的制备方法 [P].

杨柏 ;

李云峰 ;

张俊虎 ;

朱守俊 ;

贾菲 .

中国专利 :CN101497429B ,2009-08-05

[5]

一种硅纳米线材料及其制备方法 [P].

苏发兵 ;

任文锋 ;

王艳红 .

中国专利 :CN105271235A ,2016-01-27

[6]

纳米硅基复合材料及其制备方法和应用 [P].

陈青华 ;

刘瑞芳 ;

房冰 .

中国专利 :CN117673284A ,2024-03-08

[7]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

尹明汉 ;

李世宁 .

中国专利 :CN105555705B ,2016-05-04

[8]

制备硅纳米线阵列的方法 [P].

陶斯禄 ;

蒋一岚 ;

周春 .

中国专利 :CN102560493B ,2012-07-11

[9]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李亚丽 ;

王艳周 ;

栗军帅 .

中国专利 :CN106409653B ,2017-02-15

[10]

硅纳米洞阵列光伏材料及光伏电池制备技术 [P].

彭奎庆 ;

王新 .

中国专利 :CN102201486B ,2011-09-28

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