真空电子器件中电极的悬浮栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880061810.4

申请日：

2018-07-21

公开(公告)号：

CN111133550A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

孙勇 A·T·科克 A·R·林格里 C·A·M·法比安 M·N·曼金 T·S·潘

申请人：

申请人地址：

美国华盛顿州

IPC主分类号：

H01J146

IPC分类号：

代理机构：

深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240

代理人：

金辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	公开	公开
2022-12-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J 1/46 申请公布日:20200508
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/46 申请日:20180721

共 50 条

[1]

用于真空电子学中电极的阴影栅极结构 [P].

S·E·克拉克 ;

C·A·M·法比安 ;

G·D·弗利 ;

A·坎南 ;

A·T·科克 ;

A·R·林格里 ;

呂欣頤 ;

M·N·曼金 ;

T·S·潘 ;

J·M·帕克 ;

P·J·舍佩尔兹 ;

孙勇 .

中国专利 :CN111133549A ,2020-05-08

[2]

真空电子器件 [P].

王新 ;

谢杰 ;

成千福 ;

蔡华 ;

王光健 .

中国专利 :CN120236961A ,2025-07-01

[3]

电极结构、电极及电子器件 [P].

F·塞利尼 ;

S·阿多尔诺 ;

D·帕希 ;

M·萨利纳 .

中国专利 :CN216624272U ,2022-05-27

[4]

电子器件的石墨烯栅极 [P].

罗德里克·A·海德 ;

乔丁·T·卡勒 ;

内森·P·梅尔沃德 ;

托尼·S·帕恩 ;

洛厄尔·L·小伍德 .

中国专利 :CN104024147A ,2014-09-03

[5]

电子器件和电子器件的结构 [P].

M·诺恩盖拉德 ;

T·欧埃克斯 .

中国专利 :CN218299803U ,2023-01-13

[6]

电子器件和光电器件的电极结构 [P].

桑托斯·F·阿尔瓦拉多 ;

蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩 ;

布莱恩·克龙 ;

尤特·德雷克斯勒 ;

罗兰·W·杰曼 ;

西格弗里德·F·卡格 ;

彼得·米勒 ;

黑克·赖尔 ;

沃尔特·里斯 ;

比特·鲁斯塔勒 ;

保罗·塞德勒 ;

罗兰·W·威德默 .

中国专利 :CN100531500C ,2006-11-29

[7]

包括掺杂栅极电极的电子器件及其形成方法 [P].

P·科斯特尔尼克 ;

T·诺瓦克 ;

P·科庞 ;

P·莫昂 ;

A·班纳吉 .

中国专利 :CN114639730A ,2022-06-17

[8]

具有多栅电极结构的电子器件和形成电子器件的方法 [P].

G·L·辛达洛里 .

中国专利 :CN101379613A ,2009-03-04

[9]

适用于真空电子器件的排气结构 [P].

吴华夏 ;

张文丙 ;

阮智文 ;

朱刚 ;

白卫星 ;

刘志意 ;

张丽 ;

葛安北 .

中国专利 :CN202940208U ,2013-05-15

[10]

引线电极结构、框架及电子器件 [P].

周云福 ;

王祖江 ;

李爱政 .

中国专利 :CN204732398U ,2015-10-28

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