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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910726421.5
申请日：
2019-08-07
公开(公告)号：
CN110391179A
公开(公告)日：
2019-10-29
发明(设计)人：
马敬
金子貴昭
申请人：
申请人地址：
223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L23538
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-10-29 | 公开 | 公开 |
| 2019-11-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20190807 |
| 2021-11-16 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20191029 |