一种低功耗、高电源抑制比的带隙电压参考电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710087147.9

申请日：

2007-03-22

公开(公告)号：

CN101271346A

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

应建华陈嘉

申请人：

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号东三区83号401

IPC主分类号：

G05F316

IPC分类号：

代理机构：

北京挺立专利事务所

代理人：

皋吉甫

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止专利号:ZL2007100871479 申请日:20070322 授权公告日:20110810 终止日期:20150322 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101659970681 IPC(主分类):G05F 3/16
2008-09-24	公开	公开
2012-01-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101258337741 IPC(主分类):G05F 3/16 专利号:ZL2007100871479 变更事项:专利权人变更前权利人:应建华变更后权利人:应建华变更事项:地址变更前权利人:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号东三区83号401 变更后权利人:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号东三区83号401 变更事项:共同专利权人变更前权利人:陈嘉;武汉昊昱微电子有限公司变更后权利人:陈嘉;武汉昊昱微电子股份有限公司登记生效日:20111125
2009-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高电源抑制比的带隙电压源结构 [P].

黄敬馨 ;

章国豪 ;

刘祖华 .

中国专利 :CN211015193U ,2020-07-14

[2]

一种高电源抑制比的带隙基准电压电路 [P].

熊辉涛 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN108693909A ,2018-10-23

[3]

低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P].

黄朝刚 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19

[4]

一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路 [P].

邓龙利 ;

刘铭 .

中国专利 :CN204808103U ,2015-11-25

[5]

一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路 [P].

邓龙利 ;

刘铭 .

中国专利 :CN104977963B ,2015-10-14

[6]

一种具有高电源抑制比的带隙基准电路 [P].

马军 .

中国专利 :CN103955250A ,2014-07-30

[7]

一种高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

贺小勇 ;

吴青华 ;

何俊良 ;

李梦诗 ;

蔡敏 .

中国专利 :CN104932601A ,2015-09-23

[8]

一种高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

贺小勇 ;

吴青华 ;

何俊良 ;

李梦诗 ;

蔡敏 .

中国专利 :CN204759261U ,2015-11-11

[9]

一种高电源抑制比的电压基准电路 [P].

罗萍 ;

杨秉中 ;

王远飞 ;

杨健 .

中国专利 :CN112416044A ,2021-02-26

[10]

一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路 [P].

来新泉 ;

陈廷奇 ;

孙昂勃 ;

蔚道嘉 ;

刘晨 ;

胡枭 .

中国专利 :CN111045470A ,2020-04-21

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