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低功耗高电源抑制比的LDO电路

被引：0
申请号：
CN202210619020.1
申请日：
2022-06-02
公开(公告)号：
CN114924606A
公开(公告)日：
2022-08-19
发明(设计)人：
黄朝刚 吴玉强
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区南头关口二路智恒战略性新兴产业园22栋4楼
IPC主分类号：
G05F156
IPC分类号：
代理机构：
深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271
代理人：
满群
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20220602
2022-08-19 公开 公开
共 50 条
[1]
带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比LDO电路及算法 [P]. 
杨忠添 ;
吴玉强 .
中国专利 :CN115542988A ,2022-12-30
[2]
带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比LDO电路及算法 [P]. 
杨忠添 ;
吴玉强 .
中国专利 :CN115542988B ,2025-05-09
[3]
高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P]. 
魏榕山 ;
林家城 ;
杨培祥 .
中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04
[4]
带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比的方法 [P]. 
杨忠添 ;
吴玉强 .
中国专利 :CN120406636A ,2025-08-01
[5]
一种高电源抑制比快速响应LDO [P]. 
魏榕山 ;
林家城 ;
杨培祥 .
中国专利 :CN108733118A ,2018-11-02
[6]
一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119916880A ,2025-05-02
[7]
高电源抑制比的超低功耗电源结构 [P]. 
王小曼 ;
何洋 ;
胡毅 ;
赵东艳 ;
张海峰 ;
唐晓柯 ;
原义栋 ;
马永旺 ;
符令 ;
侯佳力 .
中国专利 :CN108762359B ,2018-11-06
[8]
一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119916880B ,2025-06-17
[9]
一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P]. 
潘俊 ;
邱雷 ;
何龙 ;
叶升 .
中国专利 :CN119165911B ,2025-10-17
[10]
一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P]. 
潘俊 ;
邱雷 ;
何龙 ;
叶升 .
中国专利 :CN119165911A ,2024-12-20
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