一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411153416.7

申请日：

2024-08-21

公开(公告)号：

CN119165911B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

潘俊邱雷何龙叶升

申请人：

上海明达微电子有限公司

申请人地址：

201403 上海市奉贤区金海公路6055号11幢5层

IPC主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

代理机构：

合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160

代理人：

王贵川

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20240821
2024-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P].

潘俊 ;

邱雷 ;

何龙 ;

叶升 .

中国专利 :CN119165911A ,2024-12-20

[2]

一种低噪声高电源抑制比的LDO [P].

冯稀亮 ;

阮沈勇 ;

刘永平 .

中国专利 :CN118426533B ,2024-11-15

[3]

一种低噪声高电源抑制比的LDO [P].

冯稀亮 ;

阮沈勇 ;

刘永平 .

中国专利 :CN118426533A ,2024-08-02

[4]

低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P].

黄朝刚 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19

[5]

高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04

[6]

一种低噪声高PSRR的LDO电路 [P].

万禾湛 ;

王宗民 ;

涂彦杰 ;

杨晓君 ;

于广莹 ;

王磊 ;

李晓博 ;

王秀芝 ;

吕超 ;

孔瀛 ;

莫艳图 ;

宋奎鑫 ;

柏晓鹤 ;

李阳 ;

马佩 ;

曹亦栋 .

中国专利 :CN115617112A ,2023-01-17

[7]

一种低噪声高PSRR的LDO电路 [P].

万禾湛 ;

王宗民 ;

涂彦杰 ;

杨晓君 ;

于广莹 ;

王磊 ;

李晓博 ;

王秀芝 ;

吕超 ;

孔瀛 ;

莫艳图 ;

宋奎鑫 ;

柏晓鹤 ;

李阳 ;

马佩 ;

曹亦栋 .

中国专利 :CN115617112B ,2025-12-19

[8]

一种高电源抑制比LDO电路 [P].

张薇薇 ;

卞兴中 ;

周振宇 .

中国专利 :CN104391533A ,2015-03-04

[9]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880A ,2025-05-02

[10]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880B ,2025-06-17

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