一种低噪声高电源抑制比的LDO

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410887468.0
申请日
2024-07-03
公开(公告)号
CN118426533A
公开(公告)日
2024-08-02
发明(设计)人
冯稀亮 阮沈勇 刘永平
申请人
深圳飞渡微电子有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南十二路18号长虹科技大厦2301
IPC主分类号
G05F1/56
IPC分类号
代理机构
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共 50 条
[1]
一种低噪声高电源抑制比的LDO [P]. 
冯稀亮 ;
阮沈勇 ;
刘永平 .
中国专利 :CN118426533B ,2024-11-15
[2]
一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P]. 
潘俊 ;
邱雷 ;
何龙 ;
叶升 .
中国专利 :CN119165911A ,2024-12-20
[3]
一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P]. 
潘俊 ;
邱雷 ;
何龙 ;
叶升 .
中国专利 :CN119165911B ,2025-10-17
[4]
一种高电源抑制比快速响应LDO [P]. 
魏榕山 ;
林家城 ;
杨培祥 .
中国专利 :CN108733118A ,2018-11-02
[5]
一种高电源抑制比低噪声的电压基准源 [P]. 
罗萍 ;
王东俊 ;
孙建勇 ;
白春蕾 ;
廖鹏飞 ;
包毅 ;
张翔 ;
张飞翔 .
中国专利 :CN104035479A ,2014-09-10
[6]
高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P]. 
魏榕山 ;
林家城 ;
杨培祥 .
中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04
[7]
一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119916880A ,2025-05-02
[8]
一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119916880B ,2025-06-17
[9]
低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P]. 
黄朝刚 ;
吴玉强 .
中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19
[10]
一种高电源抑制比LDO电路 [P]. 
张薇薇 ;
卞兴中 ;
周振宇 .
中国专利 :CN104391533A ,2015-03-04