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一种低噪声高电源抑制比的LDO
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410887468.0
申请日
:
2024-07-03
公开(公告)号
:
CN118426533A
公开(公告)日
:
2024-08-02
发明(设计)人
:
冯稀亮
阮沈勇
刘永平
申请人
:
深圳飞渡微电子有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南十二路18号长虹科技大厦2301
IPC主分类号
:
G05F1/56
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-15
授权
授权
2024-08-02
公开
公开
2024-08-20
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20240703
共 50 条
[1]
一种低噪声高电源抑制比的LDO
[P].
冯稀亮
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳飞渡微电子有限公司
深圳飞渡微电子有限公司
冯稀亮
;
阮沈勇
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机构:
深圳飞渡微电子有限公司
深圳飞渡微电子有限公司
阮沈勇
;
刘永平
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0
机构:
深圳飞渡微电子有限公司
深圳飞渡微电子有限公司
刘永平
.
中国专利
:CN118426533B
,2024-11-15
[2]
一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路
[P].
潘俊
论文数:
0
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0
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
潘俊
;
邱雷
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
邱雷
;
何龙
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
何龙
;
叶升
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0
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0
机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
叶升
.
中国专利
:CN119165911A
,2024-12-20
[3]
一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路
[P].
潘俊
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
潘俊
;
邱雷
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
邱雷
;
何龙
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
何龙
;
叶升
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机构:
上海明达微电子有限公司
上海明达微电子有限公司
叶升
.
中国专利
:CN119165911B
,2025-10-17
[4]
一种高电源抑制比快速响应LDO
[P].
魏榕山
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魏榕山
;
林家城
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林家城
;
杨培祥
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0
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0
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杨培祥
.
中国专利
:CN108733118A
,2018-11-02
[5]
一种高电源抑制比低噪声的电压基准源
[P].
罗萍
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罗萍
;
王东俊
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王东俊
;
孙建勇
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孙建勇
;
白春蕾
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白春蕾
;
廖鹏飞
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廖鹏飞
;
包毅
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0
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包毅
;
张翔
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0
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张翔
;
张飞翔
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0
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0
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0
张飞翔
.
中国专利
:CN104035479A
,2014-09-10
[6]
高电源抑制比快速响应的LDO电路
[P].
魏榕山
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0
魏榕山
;
林家城
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林家城
;
杨培祥
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杨培祥
.
中国专利
:CN208188715U
,2018-12-04
[7]
一种提高LDO高电源抑制比的电路
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
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0
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0
机构:
成都芯翼科技有限公司
成都芯翼科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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机构:
成都芯翼科技有限公司
成都芯翼科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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0
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机构:
成都芯翼科技有限公司
成都芯翼科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN119916880A
,2025-05-02
[8]
一种提高LDO高电源抑制比的电路
[P].
请求不公布姓名
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0
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机构:
成都芯翼科技有限公司
成都芯翼科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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机构:
成都芯翼科技有限公司
成都芯翼科技有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
论文数:
0
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机构:
成都芯翼科技有限公司
成都芯翼科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN119916880B
,2025-06-17
[9]
低功耗高电源抑制比的LDO电路
[P].
黄朝刚
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0
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黄朝刚
;
吴玉强
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0
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吴玉强
.
中国专利
:CN114924606A
,2022-08-19
[10]
一种高电源抑制比LDO电路
[P].
张薇薇
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张薇薇
;
卞兴中
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卞兴中
;
周振宇
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周振宇
.
中国专利
:CN104391533A
,2015-03-04
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