一种提高LDO高电源抑制比的电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510414276.2

申请日：

2025-04-03

公开(公告)号：

CN119916880A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

成都芯翼科技有限公司

申请人地址：

610036 四川省成都市金牛区金府路88号1栋1单元10层1036号

IPC主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20250403
2025-05-02	公开	公开
2025-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880B ,2025-06-17

[2]

高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04

[3]

一种高电源抑制比LDO电路 [P].

张薇薇 ;

卞兴中 ;

周振宇 .

中国专利 :CN104391533A ,2015-03-04

[4]

低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P].

黄朝刚 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19

[5]

一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路 [P].

包应江 .

中国专利 :CN106774580A ,2017-05-31

[6]

一种高电源抑制比快速响应LDO [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN108733118A ,2018-11-02

[7]

一种高电源纹波抑制比的LDO电路 [P].

杨小荣 ;

陈克钦 ;

韩艳丽 ;

刘华 .

中国专利 :CN116069096B ,2024-09-24

[8]

一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P].

潘俊 ;

邱雷 ;

何龙 ;

叶升 .

中国专利 :CN119165911B ,2025-10-17

[9]

一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P].

潘俊 ;

邱雷 ;

何龙 ;

叶升 .

中国专利 :CN119165911A ,2024-12-20

[10]

一种提高电源抑制比的高速LDO电路 [P].

王海英 ;

刘强 ;

潘东方 ;

程立 .

中国专利 :CN205827288U ,2016-12-21

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