一种高电源纹波抑制比的LDO电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111267488.0

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN116069096B

公开(公告)日：

2024-09-24

发明(设计)人：

杨小荣陈克钦韩艳丽刘华

申请人：

上海贝岭股份有限公司

申请人地址：

200233 上海市徐汇区宜山路810号

IPC主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

林嵩

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880A ,2025-05-02

[2]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880B ,2025-06-17

[3]

高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04

[4]

一种高电源抑制比LDO电路 [P].

张薇薇 ;

卞兴中 ;

周振宇 .

中国专利 :CN104391533A ,2015-03-04

[5]

低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P].

黄朝刚 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19

[6]

一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P].

潘俊 ;

邱雷 ;

何龙 ;

叶升 .

中国专利 :CN119165911B ,2025-10-17

[7]

一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路 [P].

潘俊 ;

邱雷 ;

何龙 ;

叶升 .

中国专利 :CN119165911A ,2024-12-20

[8]

一种高电源抑制比快速响应LDO [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN108733118A ,2018-11-02

[9]

高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器 [P].

王磊 ;

刘晨 .

中国专利 :CN1873576A ,2006-12-06

[10]

一种超高电源纹波抑制比CMOS电压基准电路 [P].

吴建辉 ;

瞿剑 ;

吴志强 ;

谢祖帅 ;

周全才 .

中国专利 :CN111796624A ,2020-10-20

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