一种提高电源抑制比的高速LDO电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620751063.5

申请日：

2016-07-15

公开(公告)号：

CN205827288U

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

王海英刘强潘东方程立

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区国泰路11号1层展示厅B116室

IPC主分类号：

G05F1565

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 1/565 申请日:20160715 授权公告日:20161221 终止日期:20170715
2016-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高电源抑制比的高速LDO电路 [P].

王海英 ;

刘强 ;

潘东方 ;

程立 .

中国专利 :CN106055012A ,2016-10-26

[2]

高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04

[3]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880A ,2025-05-02

[4]

一种提高LDO高电源抑制比的电路 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119916880B ,2025-06-17

[5]

一种高电源抑制比LDO电路 [P].

张薇薇 ;

卞兴中 ;

周振宇 .

中国专利 :CN104391533A ,2015-03-04

[6]

一种高电源抑制比快速响应LDO [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN108733118A ,2018-11-02

[7]

一种提高瞬态响应和电源抑制比的无片外电容LDO [P].

常玉春 ;

余芝帅 ;

吕春燕 ;

李欣序 ;

丁宁 ;

陈佳俊 ;

李兆涵 ;

彭灿 ;

崔霜 ;

胡冰妍 ;

陈腾 ;

刘天照 ;

王耕耘 ;

李海彬 .

中国专利 :CN105045329A ,2015-11-11

[8]

低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P].

黄朝刚 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19

[9]

带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比LDO电路及算法 [P].

杨忠添 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN115542988A ,2022-12-30

[10]

带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比LDO电路及算法 [P].

杨忠添 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN115542988B ,2025-05-09

← 1 2 3 4 5 →