带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510426177.6

申请日：

2022-09-19

公开(公告)号：

CN120406636A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

杨忠添吴玉强

申请人：

泉芯电子技术（深圳）有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区南头关口二路智恒战略性新兴产业园22栋4楼

IPC主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

代理机构：

深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271

代理人：

满群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

黑龙江省七台河市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20220919
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比LDO电路及算法 [P].

杨忠添 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN115542988A ,2022-12-30

[2]

带采样负载电流技术的低功耗高电源抑制比LDO电路及算法 [P].

杨忠添 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN115542988B ,2025-05-09

[3]

低功耗高电源抑制比的LDO电路 [P].

黄朝刚 ;

吴玉强 .

中国专利 :CN114924606A ,2022-08-19

[4]

高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P].

魏榕山 ;

林家城 ;

杨培祥 .

中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04

[5]

高电源抑制比的超低功耗电源结构 [P].

王小曼 ;

何洋 ;

胡毅 ;

赵东艳 ;

张海峰 ;

唐晓柯 ;

原义栋 ;

马永旺 ;

符令 ;

侯佳力 .

中国专利 :CN108762359B ,2018-11-06

[6]

高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路 [P].

胡炜 ;

许育森 ;

黄继伟 ;

黄凤英 ;

林安 ;

安奇 .

中国专利 :CN103309391A ,2013-09-18

[7]

高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路 [P].

胡炜 ;

许育森 ;

黄继伟 ;

黄凤英 ;

林安 ;

安奇 .

中国专利 :CN203350760U ,2013-12-18

[8]

一种低功耗、高电源抑制比的带隙电压参考电路 [P].

应建华 ;

陈嘉 .

中国专利 :CN101271346A ,2008-09-24

[9]

一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

吴爱东 ;

林志伦 ;

杜媛 ;

姚芹 ;

李红 ;

陈超 .

中国专利 :CN105388953A ,2016-03-09

[10]

一种低功耗高电源抑制比的自偏置电流基准源 [P].

唐鹤 ;

熊兴 .

中国专利 :CN113778161B ,2021-12-10

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