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LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410522011.6
申请日：
2014-09-30
公开(公告)号：
CN105529264A
公开(公告)日：
2016-04-27
发明(设计)人：
李勇
赵杰
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L2906
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏;骆苏华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-05-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662095784 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014105220116 申请日:20140930 |
| 2020-04-03 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20200313 变更事项:专利权人 变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更后权利人:中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼6楼 |
| 2016-04-27 | 公开 | 公开 |
| 2019-07-02 | 授权 | 授权 |