LDMOS晶体管结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110257377.1
申请日
2011-09-01
公开(公告)号
CN102270664A
公开(公告)日
2011-12-07
发明(设计)人
刘建华
申请人
申请人地址
200233 上海市徐汇区虹漕路385号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2940 H01L29423 H01L21336
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
陆嘉
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
LDMOS晶体管结构及其形成方法 [P]. 
刘建华 ;
吴晓丽 ;
杨金 .
中国专利 :CN102339864A ,2012-02-01
[2]
LDMOS晶体管结构及其形成方法 [P]. 
刘建华 .
中国专利 :CN102306661A ,2012-01-04
[3]
LDMOS晶体管结构及其形成方法 [P]. 
吕宇强 ;
王艳颖 ;
杨海波 .
中国专利 :CN102280386A ,2011-12-14
[4]
LDMOS晶体管结构及其形成方法 [P]. 
魏琰 ;
宋化龙 .
中国专利 :CN104517848A ,2015-04-15
[5]
LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管 [P]. 
李勇 ;
赵杰 .
中国专利 :CN105529264A ,2016-04-27
[6]
LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN105826189A ,2016-08-03
[7]
LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN106158651A ,2016-11-23
[8]
LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN105529263B ,2016-04-27
[9]
LDMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
郑大燮 ;
魏琰 .
中国专利 :CN103594492A ,2014-02-19
[10]
LDMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
曹国豪 ;
郑大燮 .
中国专利 :CN104701366A ,2015-06-10