一种忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110553812.9

申请日：

2021-05-20

公开(公告)号：

CN113346016A

公开(公告)日：

2021-09-03

发明(设计)人：

李祎黄晓弟付瑶瑶缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

B82Y1000 B82Y4000

代理机构：

武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267

代理人：

邓彦彦;张彩锦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20210520
2021-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

孙华军 ;

王青 ;

张金箭 ;

缪向水 .

中国专利 :CN103247756A ,2013-08-14

[2]

忆阻器器件及其制备方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

刘琦 .

中国专利 :CN102931346A ,2013-02-13

[3]

侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法 [P].

唐建石 ;

胡若飞 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119365064A ,2025-01-24

[4]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

王军 ;

刘贤超 ;

崔官豪 ;

周泓希 ;

苟军 ;

史佳欣 ;

刘德幸 .

中国专利 :CN110797458B ,2020-02-14

[5]

一种纳米薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

王来国 ;

吴迪 .

中国专利 :CN106206944A ,2016-12-07

[6]

一种金属纳米簇掺杂的忆阻器及其制备方法 [P].

刘向阳 ;

史晨阳 .

中国专利 :CN109326711B ,2019-02-12

[7]

一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器 [P].

李祎 ;

何毓辉 ;

付瑶瑶 ;

黄晓弟 ;

缪向水 .

中国专利 :CN113517397B ,2021-10-19

[8]

忆阻器及其制备方法 [P].

冯雪 ;

孟艳芳 ;

马寅佶 .

中国专利 :CN113555502A ,2021-10-26

[9]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[10]

忆阻器及其制备方法 [P].

宫勇吉 ;

韦钧天 ;

何倩倩 ;

王蕾 .

中国专利 :CN117396062A ,2024-01-12

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