MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810231659.2

申请日：

2008-10-09

公开(公告)号：

CN101425553A

公开(公告)日：

2009-05-06

发明(设计)人：

赵莉

申请人：

申请人地址：

712021陕西省咸阳市彩虹路1号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

代理人：

朱海临

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	授权	授权
2016-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101689562183 IPC(主分类):H01L 31/18 专利号:ZL2008102316592 申请日:20081009 授权公告日:20101110 终止日期:20151009
2009-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 [P].

蒋大勇 ;

张吉英 ;

申德振 ;

姚斌 ;

赵东旭 ;

张振中 .

中国专利 :CN101257064A ,2008-09-03

[2]

一种光电导型紫外探测器 [P].

季振国 ;

杜娟 .

中国专利 :CN1260829C ,2005-03-02

[3]

MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法 [P].

张希清 ;

胡佐富 ;

刘凤娟 ;

李振军 ;

王永生 .

中国专利 :CN102623543A ,2012-08-01

[4]

平面GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

苏艳梅 ;

种明 ;

张冶金 ;

孙捷 ;

孙秀艳 .

中国专利 :CN110970525A ,2020-04-07

[5]

光电探测结构及其制作方法、光电探测器 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN107170842B ,2017-09-15

[6]

一种AlGaN基紫外探测器极其制作方法 [P].

张志伟 ;

宋航 ;

陈一仁 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN109346551A ,2019-02-15

[7]

AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法 [P].

郝跃 ;

张伟 ;

毛维 ;

马红 .

中国专利 :CN102214705A ,2011-10-12

[8]

MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器 [P].

蒋大勇 ;

赵曼 ;

梁庆成 ;

高尚 ;

赵建勋 ;

秦杰明 .

中国专利 :CN102881762A ,2013-01-16

[9]

光电探测器的制作方法 [P].

梁松 ;

刘云龙 .

中国专利 :CN108987530B ,2018-12-11

[10]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

← 1 2 3 4 5 →