一种AlGaN基紫外探测器极其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811341077.X

申请日：

2018-11-12

公开(公告)号：

CN109346551A

公开(公告)日：

2019-02-15

发明(设计)人：

张志伟宋航陈一仁缪国庆蒋红李志明

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市长春经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L310304 H01L3118

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

罗满

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-15	公开	公开
2022-05-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/105 申请公布日:20190215
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20181112

共 50 条

[1]

AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法 [P].

郝跃 ;

张伟 ;

毛维 ;

马红 .

中国专利 :CN102214705A ,2011-10-12

[2]

一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 [P].

杨敏 ;

种明 ;

赵德刚 ;

王晓勇 ;

苏艳梅 ;

孙捷 ;

孙秀艳 .

中国专利 :CN103646986A ,2014-03-19

[3]

一种紫外探测器及其制作方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

李炳辉 ;

张振中 ;

申德振 .

中国专利 :CN107579127A ,2018-01-12

[4]

一种紫外探测器及其制作方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

李炳辉 ;

张振中 ;

申德振 .

中国专利 :CN107579126B ,2018-01-12

[5]

平面型AlGaN紫外探测器阵列结构及其制作方法 [P].

赵文伯 ;

叶嗣荣 .

中国专利 :CN108257986A ,2018-07-06

[6]

一种GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

崔永进 ;

仇美懿 .

中国专利 :CN112366233A ,2021-02-12

[7]

一种GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

崔永进 .

中国专利 :CN112366234A ,2021-02-12

[8]

一种GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

崔永进 ;

仇美懿 .

中国专利 :CN112366250B ,2021-02-12

[9]

平面GaN基紫外探测器及其制作方法 [P].

苏艳梅 ;

种明 ;

张冶金 ;

孙捷 ;

孙秀艳 .

中国专利 :CN110970525A ,2020-04-07

[10]

MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法 [P].

赵莉 .

中国专利 :CN101425553A ,2009-05-06

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