半导体布置及其形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410095738.0

申请日：

2014-03-14

公开(公告)号：

CN104051344B

公开(公告)日：

2014-09-17

发明(设计)人：

亚历克斯·卡尔尼茨基郑光茗周建志朱振梁段孝勤

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21266

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-17	公开	公开
2017-05-10	授权	授权
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587564545 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2014100957380 申请日:20140314

共 50 条

[1]

半导体布置及其形成 [P].

陈焕能 ;

金俊德 ;

陈硕懋 ;

周淳朴 .

中国专利 :CN105023828B ,2015-11-04

[2]

半导体布置及其形成方法 [P].

李岳川 ;

陈嘉展 .

中国专利 :CN110970356B ,2020-04-07

[3]

半导体布置及其形成方法 [P].

蔡宇庭 ;

程仲良 ;

巫清景 ;

倪其聪 .

中国专利 :CN114765158A ,2022-07-19

[4]

半导体布置及其形成方法 [P].

杨岱宜 ;

林天禄 ;

连万益 ;

王志豪 ;

吴俊鹏 .

中国专利 :CN104916620B ,2015-09-16

[5]

半导体布置及其形成方法 [P].

林舜宽 ;

黄仲仁 ;

吴雲骥 ;

杨宗谕 .

中国专利 :CN112687660A ,2021-04-20

[6]

半导体布置及其形成方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

黄进义 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN104183629B ,2014-12-03

[7]

半导体布置及其形成方法 [P].

林舜宽 ;

黄仲仁 ;

吴雲骥 ;

杨宗谕 .

中国专利 :CN112687660B ,2025-02-14

[8]

形成半导体布置的方法 [P].

陈伟杰 ;

林浩雄 ;

陈书涵 ;

林佑儒 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN105321803B ,2016-02-10

[9]

半导体布置 [P].

S·D·哈特 ;

T·伍尔默 ;

C·S·马拉姆 ;

T·希尔曼 ;

R·菲利普斯 .

中国专利 :CN110520982A ,2019-11-29

[10]

半导体装置及其布置方法 [P].

林祐吾 ;

小俣顺一 .

中国专利 :CN102089876A ,2011-06-08

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