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硅晶片的金属污染分析方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810173218.5
申请日：
2018-03-01
公开(公告)号：
CN110223927A
公开(公告)日：
2019-09-10
发明(设计)人：
山下崇史 默罕默德·B.·沙巴尼
申请人：
申请人地址：
日本东京都港区芝浦一丁目2番1号
IPC主分类号：
H01L2166
IPC分类号：
H01L2102
代理机构：
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人：
刘秀青
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-10-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20180301
2019-09-10 公开 公开
共 50 条
[1]
硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法 [P]. 
水野泰辅 .
中国专利 :CN110494734B ,2019-11-22
[2]
硅晶片的制造方法及硅晶片 [P]. 
杉森胜久 ;
小佐佐和明 .
中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25
[3]
硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片 [P]. 
饭塚人 ;
二本松孝 ;
吉田正彦 ;
宫崎诚一 .
中国专利 :CN1489783A ,2004-04-14
[4]
硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P]. 
中尾文彰 ;
芦马溪 ;
小田悠 .
日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26
[5]
硅晶片的洗涤方法 [P]. 
奥内茂 ;
远藤光弘 ;
田中智也 .
中国专利 :CN1913102A ,2007-02-14
[6]
硅晶片的钝化层的腐蚀方法 [P]. 
孙其梁 .
中国专利 :CN103964371B ,2014-08-06
[7]
硅晶片的制造方法 [P]. 
古屋田荣 ;
高石和成 .
中国专利 :CN100435289C ,2006-08-09
[8]
加工硅晶片的方法 [P]. 
古屋田荣 ;
高石和成 .
中国专利 :CN1816901A ,2006-08-09
[9]
硅晶片的制造方法 [P]. 
古屋田荣 ;
桥井友裕 ;
村山克彦 ;
高石和成 ;
加藤健夫 .
中国专利 :CN100435288C ,2007-02-21
[10]
硅晶片的洗涤方法 [P]. 
奥内茂 .
中国专利 :CN109427543B ,2019-03-05
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