硅晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610159243.5

申请日：

2006-08-15

公开(公告)号：

CN100435288C

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

古屋田荣桥井友裕村山克彦高石和成加藤健夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L21306 H01L21304 C23F124

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

孙秀武;吴娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-21	公开	公开
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

硅晶片的制造方法 [P].

古屋田荣 ;

高石和成 .

中国专利 :CN100435289C ,2006-08-09

[2]

硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片 [P].

饭塚人 ;

二本松孝 ;

吉田正彦 ;

宫崎诚一 .

中国专利 :CN1489783A ,2004-04-14

[3]

硅晶片的制造方法及硅晶片 [P].

杉森胜久 ;

小佐佐和明 .

中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25

[4]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[5]

硅晶片的制造方法 [P].

须藤治生 ;

荒木浩司 ;

青木龙彦 ;

前田进 .

中国专利 :CN106048732B ,2016-10-26

[6]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

中国专利 :CN109690746A ,2019-04-26

[7]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

日本专利 :CN109690746B ,2024-02-09

[8]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

日本专利 :CN113745093B ,2024-05-10

[9]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN113745093A ,2021-12-03

[10]

硅晶片的制造方法和硅晶片 [P].

神野清治 ;

中岛亮 ;

又川敏 .

中国专利 :CN106030764A ,2016-10-12

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