硅晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610198592.1

申请日：

2016-04-01

公开(公告)号：

CN106048732B

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

须藤治生荒木浩司青木龙彦前田进

申请人：

申请人地址：

日本新泻县

IPC主分类号：

C30B3302

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;刘力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688773223 IPC(主分类):C30B 33/02 专利申请号:2016101985921 申请日:20160401
2016-10-26	公开	公开
2018-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

硅晶片及其制造方法 [P].

荒木浩司 ;

青木龙彦 ;

须藤治生 ;

仙田刚士 .

中国专利 :CN104347395A ,2015-02-11

[2]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135816A ,2022-09-30

[3]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[4]

硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法 [P].

矶贝宏道 ;

仙田刚士 ;

丰田英二 ;

村山久美子 ;

泉妻宏治 ;

前田进 ;

鹿岛一日児 ;

荒木浩司 ;

青木竜彦 ;

须藤治生 ;

望月阳一郎 ;

小林昭彦 ;

符森林 .

中国专利 :CN101638807B ,2010-02-03

[5]

硅晶片的制造方法 [P].

佐佐木拓也 ;

桥本浩昌 ;

佐藤一弥 ;

佐藤歩 .

中国专利 :CN103415913B ,2013-11-27

[6]

硅晶片的制造方法 [P].

古屋田荣 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

高石和成 ;

加藤健夫 .

中国专利 :CN100435288C ,2007-02-21

[7]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

须藤治生 .

中国专利 :CN115135818A ,2022-09-30

[8]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

中国专利 :CN109690746A ,2019-04-26

[9]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

日本专利 :CN109690746B ,2024-02-09

[10]

硅晶片的制造方法及硅晶片 [P].

杉森胜久 ;

小佐佐和明 .

中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25

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