半导体硅晶片的制造方法

被引：0

申请号：

CN202180015640.8

申请日：

2021-02-16

公开(公告)号：

CN115135816A

公开(公告)日：

2022-09-30

发明(设计)人：

仙田刚士成松真吾

申请人：

申请人地址：

日本新潟县

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B2520 H01L21205 C23C1601 C23C1624 C30B2512 C30B2516

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张桂霞;庞立志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135817A ,2022-09-30

[2]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

须藤治生 .

中国专利 :CN115135818A ,2022-09-30

[3]

由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片 [P].

鲁珀特·克劳特鲍尔 ;

克里斯托夫·弗赖 ;

西蒙·齐特泽尔斯伯格 ;

洛塔尔·莱曼 .

中国专利 :CN100481331C ,2007-02-14

[4]

硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

高木明英 ;

中村昌次 ;

西野光俊 ;

大竹保年 .

中国专利 :CN102947948B ,2013-02-27

[5]

硅半导体晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

W·V·阿蒙 ;

福岛圣 ;

H·施密特 ;

M·韦伯 .

中国专利 :CN101187058B ,2008-05-28

[6]

单晶硅的半导体晶片和制造半导体晶片的方法 [P].

A·扎特勒 ;

A·福尔科普夫 ;

K·曼格尔贝格尔 .

中国专利 :CN110998789A ,2020-04-10

[7]

硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法 [P].

吉多·文斯基 ;

托马斯·阿尔特曼 ;

安东·胡贝尔 ;

亚历山大·海尔迈尔 .

中国专利 :CN1294629C ,2003-06-18

[8]

硅晶片的制造方法 [P].

须藤治生 ;

荒木浩司 ;

青木龙彦 ;

前田进 .

中国专利 :CN106048732B ,2016-10-26

[9]

半导体基板、半导体晶片以及半导体晶片的制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

林家弘 .

日本专利 :CN117795654A ,2024-03-29

[10]

硅半导体晶片及其制造方法 [P].

A·扎特勒 ;

W·v·阿蒙 ;

M·韦伯 ;

W·黑克尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN101302646A ,2008-11-12

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