硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180030664.7

申请日：

2011-06-16

公开(公告)号：

CN102947948B

公开(公告)日：

2013-02-27

发明(设计)人：

高木明英中村昌次西野光俊大竹保年

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

B28D504

IPC分类号：

H01L31068 H01L3118

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

封新琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2013-02-27	公开	公开
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101425719815 IPC(主分类):H01L 31/04 专利申请号:2011800306647 申请日:20110616

共 50 条

[1]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

须藤治生 .

中国专利 :CN115135818A ,2022-09-30

[2]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135817A ,2022-09-30

[3]

半导体硅晶片的制造方法 [P].

仙田刚士 ;

成松真吾 .

中国专利 :CN115135816A ,2022-09-30

[4]

硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法 [P].

吉多·文斯基 ;

托马斯·阿尔特曼 ;

安东·胡贝尔 ;

亚历山大·海尔迈尔 .

中国专利 :CN1294629C ,2003-06-18

[5]

半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

小池貴 ;

高桑真步 .

中国专利 :CN112447825A ,2021-03-05

[6]

硅半导体晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

W·V·阿蒙 ;

福岛圣 ;

H·施密特 ;

M·韦伯 .

中国专利 :CN101187058B ,2008-05-28

[7]

由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片 [P].

鲁珀特·克劳特鲍尔 ;

克里斯托夫·弗赖 ;

西蒙·齐特泽尔斯伯格 ;

洛塔尔·莱曼 .

中国专利 :CN100481331C ,2007-02-14

[8]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[9]

半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 [P].

保利幸隆 .

中国专利 :CN101145521B ,2008-03-19

[10]

外延晶片的制造方法、外延晶片、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

土田秀一 ;

宮泽哲哉 ;

米泽喜幸 ;

加藤智久 ;

児岛一聪 ;

俵武志 ;

大月章弘 .

中国专利 :CN107430993B ,2017-12-01

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