多孔材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01117235.5

申请日：

2001-03-27

公开(公告)号：

CN1347932A

公开(公告)日：

2002-05-08

发明(设计)人：

Y·尤 A·A·拉莫拉 R·H·戈尔 M·K·格拉戈尔 N·安南

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞

IPC主分类号：

C08J500

IPC分类号：

C08L8300

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

陈季壮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-05-08	公开	公开
2006-05-10	授权	授权
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08J 5/00 申请日:20010327 授权公告日:20060510 终止日期:20200327

共 50 条

[1]

多孔材料 [P].

C·S·阿伦 ;

N·安南 ;

R·M·布兰肯实珀 ;

M·K·噶拉格尔 ;

R·H·古若 ;

A·A·拉莫拉 ;

尤余建 .

中国专利 :CN1297963A ,2001-06-06

[2]

多孔质材料 [P].

M·K·加拉格尔 ;

R·H·戈尔 ;

A·A·拉莫勒 ;

游宇建 .

中国专利 :CN1391235A ,2003-01-15

[3]

多孔低介电常数材料的等离子固化方法 [P].

R·奥巴诺 ;

C·巴格隆 ;

I·L·贝瑞三世 ;

J·比勒密尔 ;

P·德姆博斯克 ;

O·埃斯克斯雅 ;

Q·翰 ;

N·斯布罗科 ;

C·瓦尔德福理德 .

中国专利 :CN1695235A ,2005-11-09

[4]

纳米多孔材料及其制备方法 [P].

N·哈克 ;

S·莱弗特 ;

L·菲格 ;

R·斯皮尔 ;

W·贝德韦尔 ;

T·拉莫斯 .

中国专利 :CN1650372A ,2005-08-03

[5]

多孔Low－K材料的无氟等离子体固化方法 [P].

C·沃尔德弗里德 ;

Q·韩 ;

O·埃斯科尔西亚 ;

R·阿尔巴诺 ;

I·L·伯里三世 ;

盐田淳 .

中国专利 :CN1739190A ,2006-02-22

[6]

形成多孔超低介电材料的方法 [P].

鲍宇 ;

桑宁波 ;

雷通 .

中国专利 :CN104505344A ,2015-04-08

[7]

多孔性低介电常数材料的制造方法 [P].

李世达 ;

徐震球 .

中国专利 :CN1157769C ,2003-03-19

[8]

多孔材料的制造方法和多孔材料以及多孔材料的孔隙结构的调节方法 [P].

梁福鑫 ;

蒋超 .

中国专利 :CN117487238A ,2024-02-02

[9]

用于表征多孔材料的方法和系统 [P].

朱建红 ;

多雷尔·伊万·托玛 .

中国专利 :CN100563791C ,2007-07-18

[10]

多孔材料 [P].

安迪·库珀 ;

刘明 .

中国专利 :CN107735156B ,2018-02-23

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