多孔Low－K材料的无氟等离子体固化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480002329.6

申请日：

2004-01-16

公开(公告)号：

CN1739190A

公开(公告)日：

2006-02-22

发明(设计)人：

C·沃尔德弗里德 Q·韩 O·埃斯科尔西亚 R·阿尔巴诺 I·L·伯里三世盐田淳

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01B346 C04B4100 B29C5914 B32B3700

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘维升;段晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-02-22	公开	公开
2009-01-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

多孔低介电常数材料的等离子固化方法 [P].

R·奥巴诺 ;

C·巴格隆 ;

I·L·贝瑞三世 ;

J·比勒密尔 ;

P·德姆博斯克 ;

O·埃斯克斯雅 ;

Q·翰 ;

N·斯布罗科 ;

C·瓦尔德福理德 .

中国专利 :CN1695235A ,2005-11-09

[2]

MSQ－基多孔低－K薄膜材料的等离子体固化 [P].

Q·韩 ;

C·瓦尔德弗里德 ;

O·埃斯科西亚 ;

R·阿巴诺 ;

I·L·贝里三世 ;

J·詹格 ;

I·巴尔 .

中国专利 :CN1537325A ,2004-10-13

[3]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

有田洁 ;

岩井哲博 ;

寺山纯一 .

中国专利 :CN1516890A ,2004-07-28

[4]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

田原慈 .

中国专利 :CN100375247C ,2005-09-07

[5]

制造用于等离子体源的等离子体产生单元的方法 [P].

大卫·约翰·约翰逊 ;

吴菅 ;

弗拉基米尔·纳戈尔尼 ;

雨果·里维拉 .

美国专利 :CN119605318A ,2025-03-11

[6]

等离子体灰化方法 [P].

田原慈 ;

星直嗣 .

中国专利 :CN1929096A ,2007-03-14

[7]

等离子体灰化方法 [P].

C·华德费得 ;

O·伊斯寇希亚 ;

韩清源 ;

T·布克雷 ;

P·沙克席威尔 .

中国专利 :CN1868043A ,2006-11-22

[8]

等离子体诱发的涂层固化 [P].

L·米塞夫 ;

A·瓦莱特 ;

P·辛门丁格 ;

T·荣 .

中国专利 :CN100482694C ,2005-07-27

[9]

等离子体产生装置及等离子体处理方法 [P].

岩田卓也 .

中国专利 :CN114586473A ,2022-06-03

[10]

等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

三浦繁博 ;

加藤寿 ;

佐藤润 ;

中坪敏行 ;

菊地宏之 .

中国专利 :CN105097459A ,2015-11-25

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