制造用于等离子体源的等离子体产生单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380050658.0

申请日：

2023-06-27

公开(公告)号：

CN119605318A

公开(公告)日：

2025-03-11

发明(设计)人：

大卫·约翰·约翰逊吴菅弗拉基米尔·纳戈尔尼雨果·里维拉

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H05H1/24

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	公开	公开
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H05H 1/24申请日:20230627

共 50 条

[1]

用于产生均匀等离子体的自适应等离子体源 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN100438718C ,2006-11-15

[2]

用于产生等离子体射束的方法以及等离子体源 [P].

M·舍雷尔 ;

J·皮斯特纳 .

中国专利 :CN102460634B ,2012-05-16

[3]

等离子体单元以及制造等离子体单元的方法 [P].

D.梅因霍尔德 .

中国专利 :CN103247502A ,2013-08-14

[4]

用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN101040366A ,2007-09-19

[5]

等离子体源 [P].

S·克拉斯尼特泽 ;

J·哈格曼恩 .

中国专利 :CN105144338A ,2015-12-09

[6]

等离子体产生装置 [P].

徐相勋 ;

郑成炫 .

中国专利 :CN106416431B ,2017-02-15

[7]

等离子体产生装置 [P].

徐相勋 ;

郑成炫 .

中国专利 :CN110167248A ,2019-08-23

[8]

等离子体源单元、等离子体源装置及其应用 [P].

唐永炳 ;

朱雨 ;

牛卉卉 ;

刘辉 .

中国专利 :CN106816353B ,2017-06-09

[9]

等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P].

熊谷裕典 ;

今井伸一 .

中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04

[10]

等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P].

岩田卓也 ;

池户俊之 .

日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23

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