MSQ－基多孔低－K薄膜材料的等离子体固化

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02814288.8

申请日：

2002-07-15

公开(公告)号：

CN1537325A

公开(公告)日：

2004-10-13

发明(设计)人：

Q·韩 C·瓦尔德弗里德 O·埃斯科西亚 R·阿巴诺 I·L·贝里三世 J·詹格 I·巴尔

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L21312

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘元金;庞立志

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2004-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

多孔Low－K材料的无氟等离子体固化方法 [P].

C·沃尔德弗里德 ;

Q·韩 ;

O·埃斯科尔西亚 ;

R·阿尔巴诺 ;

I·L·伯里三世 ;

盐田淳 .

中国专利 :CN1739190A ,2006-02-22

[2]

多孔低介电常数材料的等离子固化方法 [P].

R·奥巴诺 ;

C·巴格隆 ;

I·L·贝瑞三世 ;

J·比勒密尔 ;

P·德姆博斯克 ;

O·埃斯克斯雅 ;

Q·翰 ;

N·斯布罗科 ;

C·瓦尔德福理德 .

中国专利 :CN1695235A ,2005-11-09

[3]

改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法 [P].

利华·李·黄 ;

祖方·黄 ;

迪安·苏格阿托 ;

立群·夏 ;

皮特·韦曼·李 ;

海澈姆·穆萨德 ;

振江·崔 ;

索云·帕克 .

中国专利 :CN100483645C ,2007-03-14

[4]

低阻抗等离子体 [P].

维克托·贝利多-刚扎-雷兹 .

中国专利 :CN101874283B ,2010-10-27

[5]

等离子体诱发的涂层固化 [P].

L·米塞夫 ;

A·瓦莱特 ;

P·辛门丁格 ;

T·荣 .

中国专利 :CN100482694C ,2005-07-27

[6]

等离子体薄膜沉积装置 [P].

叶继春 ;

邬苏东 ;

高平奇 ;

杨映虎 ;

韩灿 .

中国专利 :CN203999809U ,2014-12-10

[7]

一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法 [P].

李程 ;

杨渝书 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427055A ,2012-04-25

[8]

常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法 [P].

杨沁玉 ;

夏磊 ;

刘磊 ;

徐金洲 ;

郭颖 ;

张菁 .

中国专利 :CN100595321C ,2008-02-13

[9]

多孔雾化等离子体燃油喷嘴 [P].

贾敏 ;

吴云 ;

王威镇 ;

金迪 ;

宋慧敏 ;

梁华 .

中国专利 :CN109630279A ,2019-04-16

[10]

等离子体显示面板用电介质材料和等离子体显示面板用玻璃板 [P].

大下浩之 ;

大岛洋 ;

谷口遥 ;

后藤龙哉 ;

北村嘉朗 .

中国专利 :CN102245524A ,2011-11-16

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