常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710045785.4

申请日：

2007-09-11

公开(公告)号：

CN100595321C

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

杨沁玉夏磊刘磊徐金洲郭颖张菁

申请人：

申请人地址：

201620上海市松江区松江新城区人民北路2999号

IPC主分类号：

C23C1650

IPC分类号：

C23C1622 C23C1652 C09K1108

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所

代理人：

黄志达;谢文凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-13	公开	公开
2013-11-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101537122858 IPC(主分类):C23C 16/50 专利号:ZL2007100457854 申请日:20070911 授权公告日:20100324 终止日期:20120911
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-03-24	授权	授权
2010-09-08	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007254689 IPC(主分类):C23C 16/50 专利申请号:2007100457854 专利号:ZL2007100457854 合同备案号:2010310000113 让与人:东华大学受让人:上海翔实玻璃有限公司发明名称:常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法申请日:20070911 公开日:20080213 授权公告日:20100324 许可种类:独占许可备案日期:20100716

共 50 条

[1]

等离子体气相沉积方法 [P].

聂佳相 ;

康芸 ;

杨瑞鹏 .

中国专利 :CN101736307A ,2010-06-16

[2]

等离子体气相沉积设备 [P].

张斌 ;

李王俊 .

中国专利 :CN213680874U ,2021-07-13

[3]

等离子体气相沉积设备 [P].

刘祥 ;

周东平 ;

张晓 .

中国专利 :CN119640240B ,2025-05-13

[4]

等离子体气相沉积设备 [P].

刘祥 ;

周东平 ;

张晓 .

中国专利 :CN119640240A ,2025-03-18

[5]

等离子体气相沉积设备 [P].

王凤明 ;

李王俊 ;

陈晨 .

中国专利 :CN111705307A ,2020-09-25

[6]

等离子体气相沉积镀膜设备 [P].

黄章华 .

中国专利 :CN216192696U ,2022-04-05

[7]

等离子体气相沉积用工件固定治具及等离子体气相沉积设备 [P].

柏洋 ;

吴其涛 .

中国专利 :CN209555369U ,2019-10-29

[8]

用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备 [P].

陈五奎 ;

雷晓全 ;

王斌 .

中国专利 :CN202898537U ,2013-04-24

[9]

纳米晶硅的等离子体沉积方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101245447A ,2008-08-20

[10]

等离子体气相沉积装置用背板及等离子体气相沉积装置 [P].

韩乔楠 ;

罗阳 ;

贺雄 .

中国专利 :CN203284463U ,2013-11-13

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