用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02806762.2

申请日：

2002-03-19

公开(公告)号：

CN1498285A

公开(公告)日：

2004-05-19

发明(设计)人：

J·常 Y·－S·林 A·凯普滕 M·森德勒 S·莱维 R·布洛姆

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

B05D512 H01L2131

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

章社杲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-05-19	公开	公开
2004-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-05-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582162406 IPC(主分类):C23C 16/26 专利号:ZL028067622 申请日:20020319 授权公告日:20060607 终止日期:20130319
2006-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

在衬底上形成高介电常数的介电层的方法 [P].

伊贝尼泽·E·艾舒恩 ;

道格拉斯·D·考尔保 ;

库纳尔·瓦伊德 ;

肯尼斯·J·斯坦恩 .

中国专利 :CN100459063C ,2006-11-29

[2]

一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法 [P].

吴嘉达 ;

孙剑 ;

高昆 ;

干洁 .

中国专利 :CN101702398A ,2010-05-05

[3]

沉积低介电常数膜的方法 [P].

弗雷德里克·加伊拉德 ;

斯里尼瓦斯·D·内马尼 .

中国专利 :CN1698188B ,2005-11-16

[4]

基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法 [P].

刘红侠 ;

范小娇 ;

费晨曦 ;

卓青青 ;

汪星 ;

尹淑颖 .

中国专利 :CN103367409A ,2013-10-23

[5]

基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法 [P].

刘红侠 ;

费晨曦 ;

范小娇 ;

马飞 ;

樊继斌 ;

许韩晨玺 .

中国专利 :CN103367408B ,2013-10-23

[6]

蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法 [P].

齐宾 ;

S·A·莫蒂卡 ;

R·M·珀尔斯泰恩 ;

E·J·小卡瓦基 ;

吴定军 .

中国专利 :CN1638028A ,2005-07-13

[7]

用于在航空部件上沉积牺牲涂层的方法 [P].

苏克蒂·查特吉 ;

大野贤一 ;

兰斯·A·斯卡德尔 ;

尤里·梅尔尼克 ;

大卫·A·布里兹 ;

普拉文·K·纳万克尔 ;

托马斯·奈斯利 ;

马克·沙丽 ;

杰弗里·安西斯 .

中国专利 :CN114008236A ,2022-02-01

[8]

使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法 [P].

Y·奥诺 ;

庄维伟 ;

R·索兰基 .

中国专利 :CN1184673C ,2003-02-12

[9]

III-V衬底上的高介电常数电容器结构 [P].

S·叶尔丹迪 ;

P·尼克尔 ;

T·邓甘 ;

J·阿布罗克华 .

中国专利 :CN109148422A ,2019-01-04

[10]

沉积高介电常数薄膜的设备 [P].

B·M·龙塞 ;

C·R·梅茨纳 ;

R·O·柯林斯 .

中国专利 :CN100523296C ,2005-11-09

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