基于萘并二酮的聚合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380057957.3

申请日：

2013-11-05

公开(公告)号：

CN104781367B

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

P·哈约兹 B·提艾克 H·张

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王丹丹;刘金辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	公开	公开
2017-04-26	授权	授权
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635126678 IPC(主分类):C09K 11/00 专利申请号:2013800579573 申请日:20131105
2019-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08G 61/12 申请日:20131105 授权公告日:20170426 终止日期:20181105

共 50 条

[1]

基于苯并二酮的聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·达格利 .

中国专利 :CN103906786B ,2014-07-02

[2]

基于稠合二酮基吡咯并吡咯的聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·格里兹波斯基 ;

D·T·格里科 ;

A·杰泽斯基 .

中国专利 :CN105324441A ,2016-02-10

[3]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

P·比雅尔 .

中国专利 :CN103975454A ,2014-08-06

[4]

用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·迪格利 ;

M·扎赫埃特伊施 ;

P·哈约兹 ;

O·F·埃比谢尔 ;

M·丰罗多纳图龙 ;

M·G·R·特比兹 .

中国专利 :CN102203160A ,2011-09-28

[5]

二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子 [P].

P·哈约兹 .

中国专利 :CN104334610A ,2015-02-04

[6]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·迪格利 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

O·F·埃比谢尔 .

中国专利 :CN102892807A ,2013-01-23

[7]

基于二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮的聚合物和化合物 [P].

M·格里兹波斯基 ;

D·格里科 ;

B·萨多夫斯基 ;

K·斯特拉塞尔 ;

P·哈约兹 ;

D·克尔布莱因 .

中国专利 :CN108137591B ,2018-06-08

[8]

用于有机半导体器件中的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·古吉利 ;

O·F·埃比谢尔 ;

P·哈约兹 ;

M·丰罗多纳图龙 ;

M·G·R·特比兹 ;

J-C·弗洛里斯 ;

H·J·吉尔尼尔 ;

P·穆尔 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

T·沙福尔 .

中国专利 :CN102449030A ,2012-05-09

[9]

作为有机半导体的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·G·R·特比茨 ;

R·A·J·詹森 ;

M·M·韦因克 ;

H·J·柯纳 ;

M·杜格利 ;

B·蒂克 ;

Y·朱 .

中国专利 :CN101479272B ,2009-07-08

[10]

用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

O·F·埃比谢尔 ;

M·迪格利 ;

H·J·吉尔尼尔 ;

M·丰罗多纳图龙 .

中国专利 :CN102362314B ,2012-02-22

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