一种三氧化钼纳米管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711443096.9

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN108147460A

公开(公告)日：

2018-06-12

发明(设计)人：

胡柱东林海敏

申请人：

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区狮山镇仙溪水库西路佛山科学技术学院

IPC主分类号：

C01G3902

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

谢泳祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-12	公开	公开
2018-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/02 申请日:20171226
2020-05-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二碲化钼纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN107934927B ,2018-04-20

[2]

一种三氧化钨纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN108128807A ,2018-06-08

[3]

一种二硒化钼纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN107934926A ,2018-04-20

[4]

一种二硫化钼纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN108059189A ,2018-05-22

[5]

一种二碲化钨纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN107934928A ,2018-04-20

[6]

一种基于多孔阳极氧化铝模板的硫化钴纳米管或纳米线的制备方法 [P].

陶峰 ;

王志俊 .

中国专利 :CN101948144A ,2011-01-19

[7]

一种二硫化钨纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN108046327B ,2018-05-18

[8]

一种磁控溅射制备TiO2纳米管薄膜的方法 [P].

任鑫 ;

赵彬 .

中国专利 :CN102691047A ,2012-09-26

[9]

一种二硒化钨纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN107934925B ,2018-04-20

[10]

纳米三氧化钼的制备方法 [P].

梁松杰 .

中国专利 :CN104591285A ,2015-05-06

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