一种磁控溅射制备TiO2纳米管薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210211733.0

申请日：

2012-06-26

公开(公告)号：

CN102691047A

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

任鑫赵彬

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 C23C1404

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	公开	公开
2014-07-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101702487691 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2012102117330 申请公布日:20120926
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101349725611 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2012102117330 申请日:20120626

共 50 条

[1]

一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法 [P].

李中华 ;

肖宁 ;

刘佳雯 ;

高原 .

中国专利 :CN101514471A ,2009-08-26

[2]

一种TiO2纳米管的制备方法 [P].

曹建翠 ;

殷恒波 ;

王爱丽 ;

张运生 ;

任敏 ;

卢章准 ;

刘纯 ;

葛超群 .

中国专利 :CN101857268A ,2010-10-13

[3]

一种二碲化钨纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN107934928A ,2018-04-20

[4]

一种三氧化钼纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN108147460A ,2018-06-12

[5]

一种三氧化钨纳米管的制备方法 [P].

胡柱东 ;

林海敏 .

中国专利 :CN108128807A ,2018-06-08

[6]

一种钛基底制备锐钛矿相TiO2纳米管薄膜的方法 [P].

孙艳 ;

孔清泉 ;

杨姗姗 ;

赵倩茹 ;

杨勇 .

中国专利 :CN112442688A ,2021-03-05

[7]

一种TiO2包覆PbS的TiO2/PbS双层复合纳米管阵列的制备方法 [P].

曲晓飞 ;

杜芳林 ;

侯雨尘 .

中国专利 :CN104722314A ,2015-06-24

[8]

一种TiO2/ZnS双层复合纳米管阵列的制备方法 [P].

曲晓飞 ;

杜芳林 ;

候雨尘 .

中国专利 :CN104741134A ,2015-07-01

[9]

一种TiO2纳米管阵列薄膜的制备方法 [P].

蔡传兵 ;

罗华明 ;

王攀 ;

刘志勇 .

中国专利 :CN103741192A ,2014-04-23

[10]

一种锐钛矿TiO2纳米管薄膜的制备方法 [P].

付博 ;

吴进明 .

中国专利 :CN104986797A ,2015-10-21

← 1 2 3 4 5 →