一种用于检测氧化镓单晶加工表面损伤层的腐蚀液及检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010458603.1

申请日：

2020-05-27

公开(公告)号：

CN111829941A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

周海韦嘉辉张杰群沈军州朱江

申请人：

申请人地址：

224051 江苏省盐城市亭湖区希望大道中路1号

IPC主分类号：

G01N1700

IPC分类号：

G01N2188

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 17/00 申请日:20200527

共 50 条

[1]

一种氧化镓晶体的亚表面损伤快速检测方法 [P].

穆文祥 ;

贾志泰 ;

陶绪堂 .

中国专利 :CN112665943A ,2021-04-16

[2]

一种氧化钇陶瓷件加工表面损伤层的检测方法 [P].

张明珠 ;

庄苏伟 ;

苏航航 ;

祝吕 ;

刘先兵 .

中国专利 :CN119223218A ,2024-12-31

[3]

用于磷化铟晶片亚表面损伤的腐蚀检测方法 [P].

郑东 ;

王雪 ;

肖迪 ;

王鑫 ;

戴磊 .

中国专利 :CN120147280A ,2025-06-13

[4]

检测硅单晶加工损伤层厚度的方法 [P].

李长苏 ;

王浩 ;

丁亚国 ;

顾燕滨 ;

于旭东 .

中国专利 :CN117457519A ,2024-01-26

[5]

一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法 [P].

林健 ;

赵权 ;

刘春香 ;

吕菲 ;

杨洪星 ;

于妍 ;

佟丽英 .

中国专利 :CN102796526A ,2012-11-28

[6]

一种氧化镓单晶片加工用CMP抛光液及其制备方法 [P].

郭晨丽 ;

李保龙 .

中国专利 :CN115386301A ,2022-11-25

[7]

一种砷化镓单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方 [P].

刘国军 ;

肖亚东 ;

段静芳 ;

谈笑天 .

中国专利 :CN109023531A ,2018-12-18

[8]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[9]

半导体材料亚表面损伤层的检测方法 [P].

薛芳 ;

蒋继乐 .

中国专利 :CN119395064A ,2025-02-07

[10]

半导体材料亚表面损伤层的检测方法 [P].

薛芳 ;

蒋继乐 .

中国专利 :CN119395064B ,2025-04-18

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