生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210401587.1

申请日：

2022-04-18

公开(公告)号：

CN114875492A

公开(公告)日：

2022-08-09

发明(设计)人：

王文樑黄星悦李国强

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2938 C30B2518 C30B3302 H01L3332

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

戴晓琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	公开	公开
2022-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20220418

共 50 条

[1]

生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN202454605U ,2012-09-26

[2]

生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN103031595B ,2013-04-10

[3]

生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN102544276A ,2012-07-04

[4]

在镓酸锂衬底上外延生长的非极性GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204894U ,2015-03-11

[5]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[6]

生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085631U ,2013-07-24

[7]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[8]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN106601887A ,2017-04-26

[9]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[10]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

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