半导体器件的表面处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010160147.2

申请日：

2020-03-10

公开(公告)号：

CN111405772B

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

门松明珠

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市环庆路2980号36号楼

IPC主分类号：

H05K306

IPC分类号：

H05K338 H01L2148

代理机构：

常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409

代理人：

蔡兴兵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 3/06 申请日:20200310
2020-07-10	公开	公开
2021-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

表面处理方法、半导体器件、半导体器件的制造方法以及处理设备 [P].

嵯峨幸一郎 .

中国专利 :CN100350565C ,2005-07-20

[2]

氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件 [P].

徐光伟 ;

李秋艳 ;

刘金杨 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN120914092A ,2025-11-07

[3]

处理半导体器件的方法及半导体器件 [P].

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103021853A ,2013-04-03

[4]

半导体器件的处理方法及半导体器件 [P].

文龙芳 .

中国专利 :CN118888436A ,2024-11-01

[5]

用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法及半导体器件 [P].

朽木克博 ;

片冈惠太 ;

菊田大悟 ;

三宅裕树 ;

市川周平 ;

长里喜隆 .

日本专利 :CN115810544B ,2025-09-26

[6]

晶片背表面处理方法以及半导体器件的制造方法 [P].

大川雄士 .

中国专利 :CN100411105C ,2005-02-02

[7]

消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件 [P].

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

黄怡 ;

赵林林 .

中国专利 :CN101740379B ,2010-06-16

[8]

半导体器件和使用半导体器件的处理方法 [P].

桥本亮司 ;

松本圭介 ;

黄文壱 .

中国专利 :CN110572663B ,2019-12-13

[9]

用于处理半导体器件的方法和半导体器件 [P].

A.赫特尔 ;

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

D.施勒格尔 ;

H-J.舒尔策 ;

A.R.施泰格纳 .

中国专利 :CN105097476B ,2015-11-25

[10]

半导体表面缺陷的处理方法和半导体器件的制备方法 [P].

江向红 .

中国专利 :CN114664651B ,2025-01-10

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