间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备

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专利类型
发明
申请号
CN201811026540.1
申请日
2018-09-04
公开(公告)号
CN109079110A
公开(公告)日
2018-12-25
发明(设计)人
董秀奇
申请人
申请人地址
361009 福建省三明市将乐县经济开发区积善园洋新路2号
IPC主分类号
B22D100
IPC分类号
代理机构
昆明合众智信知识产权事务所 53113
代理人
张玺
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备 [P]. 
董秀奇 ;
钟国平 .
中国专利 :CN110343917B ,2024-02-20
[2]
间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备 [P]. 
董秀奇 ;
钟国平 .
中国专利 :CN110343917A ,2019-10-18
[3]
间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的设备 [P]. 
钟国平 ;
董秀奇 .
中国专利 :CN210261937U ,2020-04-07
[4]
连续制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备 [P]. 
董秀奇 .
中国专利 :CN109082547B ,2018-12-25
[5]
高硅铝合金半固态钎焊方法和高硅铝合金钎焊接头 [P]. 
肖静 ;
贾进浩 ;
陈迎龙 ;
肖浩 ;
熊德赣 ;
陈柯 ;
杨盛良 .
中国专利 :CN110576231B ,2019-12-17
[6]
高硅铝合金流变浆料的制备方法 [P]. 
胡钊华 .
中国专利 :CN110616355A ,2019-12-27
[7]
高硅铝合金及其制备方法 [P]. 
田永 ;
刘志祥 ;
毕红兴 ;
王建波 ;
何霞 ;
卢国洪 ;
袁崇胜 ;
刘惠军 ;
匡美淑 ;
段祖荣 ;
康万福 ;
王正勇 ;
周杰 ;
徐朝省 ;
鲁必耀 ;
张忠益 ;
赵兴凡 ;
任承伟 ;
赵茂庚 .
中国专利 :CN104831132A ,2015-08-12
[8]
初生硅细化的高硅铝合金流变浆料的制备方法 [P]. 
胡钊华 ;
吴国华 ;
魏广玲 ;
丁文江 ;
莫文飞 .
中国专利 :CN103934437B ,2014-07-23
[9]
高硅铝合金的制备方法 [P]. 
刘向阳 .
中国专利 :CN103740956B ,2014-04-23
[10]
高硅铝合金电子封装材料的制备工艺 [P]. 
杨伏良 ;
易丹青 ;
甘卫平 ;
张伟 ;
刘泓 .
中国专利 :CN1877821A ,2006-12-13