高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610031906.5

申请日：

2006-06-30

公开(公告)号：

CN1877821A

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

杨伏良易丹青甘卫平张伟刘泓

申请人：

申请人地址：

410083湖南省长沙市麓山南路1号

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

B22F908

代理机构：

长沙市融智专利事务所

代理人：

颜勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	授权	授权
2009-08-12	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2009430000038 让与人:中南大学受让人:衡阳恒飞电缆有限责任公司发明名称:高硅铝合金电子封装材料的制备工艺申请日:20060630 授权公告日:20080813 许可种类:独占许可备案日期:2009.6.3 合同履行期限:2009.3.30至2018.3.30合同变更
2013-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101508928642 IPC(主分类):H01L 23/29 专利号:ZL2006100319065 申请日:20060630 授权公告日:20080813 终止日期:20120630
2006-12-13	公开	公开
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺 [P].

杨伏良 ;

甘卫平 ;

易丹青 ;

张伟 ;

刘泓 .

中国专利 :CN1877823A ,2006-12-13

[2]

一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺 [P].

杨伏良 ;

张伟 ;

甘卫平 ;

易丹青 ;

刘泓 .

中国专利 :CN100411158C ,2006-12-13

[3]

一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 [P].

邓宏贵 ;

王日初 ;

刘继嘉 .

中国专利 :CN105986134A ,2016-10-05

[4]

新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法 [P].

杨伏良 ;

郭涵文 .

中国专利 :CN102978485A ,2013-03-20

[5]

一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 [P].

华鹏 ;

李刚 ;

周伟 ;

李先芬 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN110450510A ,2019-11-15

[6]

通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法 [P].

王日初 ;

邓宏贵 ;

刘继嘉 .

中国专利 :CN105986132A ,2016-10-05

[7]

通过快速热压制备高硅铝合金电子封装材料的方法 [P].

蒋阳 ;

韩领 ;

秦凯旋 ;

杨犇 ;

刘超 ;

仲洪海 .

中国专利 :CN102094142B ,2011-06-15

[8]

一种高硅铝合金电子封装材料的制备方法 [P].

陈国芳 ;

马俊 ;

王宁宇 ;

高冲 ;

牛立斌 ;

王延年 .

中国专利 :CN112371986A ,2021-02-19

[9]

一种高硅铝合金电子封装材料的增强结构 [P].

赵永红 ;

邢大伟 .

中国专利 :CN217214693U ,2022-08-16

[10]

铝合金电子封装材料及其制备方法 [P].

钟益平 .

中国专利 :CN107937763A ,2018-04-20

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