高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

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专利类型
发明
申请号
CN200610031906.5
申请日
2006-06-30
公开(公告)号
CN1877821A
公开(公告)日
2006-12-13
发明(设计)人
杨伏良 易丹青 甘卫平 张伟 刘泓
申请人
申请人地址
410083湖南省长沙市麓山南路1号
IPC主分类号
H01L2329
IPC分类号
B22F908
代理机构
长沙市融智专利事务所
代理人
颜勇
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[41]
一种高硅铝合金的制备方法 [P]. 
杜生龙 .
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[42]
一种制备高硅铝合金的方法 [P]. 
杨先锋 ;
陈诒宝 ;
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一种高硅铝合金的制备方法 [P]. 
刘君武 ;
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[44]
一种高硅铝合金的制备方法 [P]. 
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一种高硅铝合金的制备方法 [P]. 
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一种高硅铝合金的制备方法 [P]. 
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[47]
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