高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610031906.5

申请日：

2006-06-30

公开(公告)号：

CN1877821A

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

杨伏良易丹青甘卫平张伟刘泓

申请人：

申请人地址：

410083湖南省长沙市麓山南路1号

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

B22F908

代理机构：

长沙市融智专利事务所

代理人：

颜勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	授权	授权
2009-08-12	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2009430000038 让与人:中南大学受让人:衡阳恒飞电缆有限责任公司发明名称:高硅铝合金电子封装材料的制备工艺申请日:20060630 授权公告日:20080813 许可种类:独占许可备案日期:2009.6.3 合同履行期限:2009.3.30至2018.3.30合同变更
2013-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101508928642 IPC(主分类):H01L 23/29 专利号:ZL2006100319065 申请日:20060630 授权公告日:20080813 终止日期:20120630
2006-12-13	公开	公开
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[21]

连续制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备 [P].

董秀奇 .

中国专利 :CN109082547B ,2018-12-25

[22]

间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备 [P].

董秀奇 .

中国专利 :CN109079110A ,2018-12-25

[23]

高硅铝合金材料的制备方法 [P].

古朝雄 .

中国专利 :CN104674037A ,2015-06-03

[24]

高硅铝合金及其制备方法 [P].

田永 ;

刘志祥 ;

毕红兴 ;

王建波 ;

何霞 ;

卢国洪 ;

袁崇胜 ;

刘惠军 ;

匡美淑 ;

段祖荣 ;

康万福 ;

王正勇 ;

周杰 ;

徐朝省 ;

鲁必耀 ;

张忠益 ;

赵兴凡 ;

任承伟 ;

赵茂庚 .

中国专利 :CN104831132A ,2015-08-12

[25]

一种电子封装用硅铝合金的制备方法 [P].

崔子振 ;

谢飞 ;

石刚 ;

续秋玉 .

中国专利 :CN106086494A ,2016-11-09

[26]

一种高强度高硅铝合金材料的制备工艺 [P].

徐建康 ;

徐苏南 .

中国专利 :CN114378281A ,2022-04-22

[27]

一种铝合金电子封装材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106995889A ,2017-08-01

[28]

间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的设备 [P].

钟国平 ;

董秀奇 .

中国专利 :CN210261937U ,2020-04-07

[29]

一种用于电子封装的硅铝合金及其制备方法和应用 [P].

杨小芹 ;

陈正 ;

王振宇 ;

王尚 ;

沈承金 ;

沈宝龙 .

中国专利 :CN110423922A ,2019-11-08

[30]

一种生产高硅铝合金的生产工艺 [P].

郑维江 ;

戴文伟 ;

林霞 ;

胡满根 ;

段森辉 .

中国专利 :CN112501462A ,2021-03-16

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