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熔断器测试电路及集成电路
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821462811.3
申请日
:
2018-09-07
公开(公告)号
:
CN209117825U
公开(公告)日
:
2019-07-16
发明(设计)人
:
不公告发明人
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
G01R31327
IPC分类号
:
G01R3107
代理机构
:
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
:
袁礼君;阚梓瑄
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-16
授权
授权
共 50 条
[1]
熔断器测试电路及方法、集成电路
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN110888047B
,2025-04-04
[2]
熔断器测试电路及方法、集成电路
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110888047A
,2020-03-17
[3]
集成电路芯片及熔断器的测试方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN110888048B
,2025-03-28
[4]
集成电路芯片及熔断器的测试方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110888048A
,2020-03-17
[5]
集成电路芯片及熔断器的检测方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN110890343B
,2025-05-30
[6]
集成电路芯片及熔断器的检测方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN110890343A
,2020-03-17
[7]
集成电路熔断器和制造方法
[P].
约翰·M·扬
论文数:
0
引用数:
0
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0
约翰·M·扬
.
中国专利
:CN1894793A
,2007-01-10
[8]
包括电子熔断器位单元的集成电路
[P].
姜旻贞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
姜旻贞
;
安孝峻
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
安孝峻
.
韩国专利
:CN119542316A
,2025-02-28
[9]
一种熔断器熔断时间测试电路
[P].
马海涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
马海涛
;
张忠辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
张忠辉
;
汤明明
论文数:
0
引用数:
0
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0
汤明明
.
中国专利
:CN206497171U
,2017-09-15
[10]
测试电路、集成电路及测试方法
[P].
西田治雄
论文数:
0
引用数:
0
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0
西田治雄
;
石田卓也
论文数:
0
引用数:
0
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0
石田卓也
.
中国专利
:CN1519575A
,2004-08-11
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